雖然 綠色碳化矽 (SiC) 微粉 是用於研磨陶瓷（例如 AlN、藍寶石）等硬質材料的常見磨料，但它 通常不用於晶圓拋光，尤其是半導體晶圓（Si、GaAs、SiC 等）
1. 為什麼綠色碳化矽不適合用於晶圓拋光
表面損傷：
SiC 微粉（即使是 #2000+ 等細等級）比大多數晶圓（莫氏硬度 9.2 對比 Si ~7、GaAs ~4.5）更硬，會導致深層表面裂縫和刮痕。污染風險：
SiC 顆粒可能嵌入較軟的晶圓（例如矽）或與表面反應，降低電氣性能。缺乏奈米級精度：
即使是亞微米 SiC 也缺乏原子級平坦化所需的均勻性（先進節點需要 Ra < 0.5 奈米）。
2. 晶圓拋光的首選磨料
A. 矽（Si）和鍺（Ge）晶片
最終拋光：
膠體二氧化矽 (SiO₂)：以化學方法軟化表面，獲得無缺陷的表面處理 (Ra ~0.1 nm)。
二氧化鈰 (CeO₂)：用於化學機械拋光 (CMP)，以實現高材料去除率 (MRR)。
粗/中拋光：
氧化鋁（Al₂O₃）：比SiC侵蝕性小，用於預拋光。
B. 碳化矽（SiC）晶片
鑽石微粉：
唯一比碳化矽（莫氏硬度 10）更硬的磨料，用於研磨/拋光的漿料中（例如，1-10 μm 的砂礫）。鑽石+CMP：
將機械去除（鑽石）與化學氧化（例如基於 H₂O₂ 的漿料）結合。
C. 砷化鎵（GaAs）和其他 III-V 晶圓
膠體二氧化矽/二氧化鈰：
低壓拋光，避免晶體損壞。溴-甲醇溶液：
機械拋光後進行化學蝕刻。
3. 綠色SiC何時可能 用於晶圓
非常早期的階段 （例如，晶圓整形/邊緣研磨）：
粗 SiC（#400–#800）用於快速去除材料，但盡快切換到更軟的磨料。藍寶石（Al₂O₃）基板：
SiC 可用於研磨，但最終拋光需要鑽石或二氧化矽。
4. 晶圓拋光的關鍵參數
磨料尺寸：
最終拋光使用 10-100 奈米顆粒（例如膠體二氧化矽）。pH 值和化學性質：
CMP 漿料的 pH 值受控制（例如，對於 Si 呈鹼性，對於金屬呈酸性）。壓力/速度：
低壓（<5 psi）以最大限度地減少地下損壞。
5. 成本敏感型應用的 SiC 替代品
氧化鋁（Al₂O₃）漿料：
比鑽石便宜，但腐蝕性比碳化矽小。混合製程：
碳化矽用於粗磨→氧化鋁用於預拋光→二氧化矽/二氧化鈰用於最終拋光。