325目黑色碳化矽(適用於碳化矽坩堝)

$900.00 /MT

與石墨、黏土石墨或石英等傳統坩堝材料相比,碳化矽 (SiC) 坩堝具有許多優勢,尤其是在高溫和高反應性環境中。以下是使用 碳化矽坩堝的主要優勢:

1.高導熱性

  • SiC具有優異的導熱性(≈120 W/m·K),可確保快速均勻加熱。

  • 與氧化鋁或石英等材料相比,可減少熱應力和開裂。

2. 卓越的抗熱震性

  • 碳化矽可以承受快速的溫度變化而不會破裂,使其成為涉及突然加熱或冷卻的過程的理想選擇。

3. 高溫穩定性

  • 在高達 1600°C 的溫度下 (在惰性/還原氣氛中)以及在高達 1400°C 的 氧化條件下有效運作。

  • 性能優於石墨(600°C 以上氧化)和氧化鋁(高溫下軟化)。

4. 優異的耐化學性

  • 抵抗熔融金屬(鋁、銅、鋅)、鹽和爐渣的腐蝕。

  • 當暴露於鋁或矽等活性金屬時比石墨更耐用。

5.機械強度和耐久性

  • 高硬度(~9.5 莫氏)和抗壓強度可減少磨損和變形。

  • 比黏土石墨或石英坩堝的使用壽命更長。

6.抗氧化性

  • 在空氣中形成一層保護性的 SiO₂ 層,防止快速降解(與石墨不同,石墨會被侵蝕)。

7. 非潤濕表面

  • 最大限度地減少熔融金屬的黏附,使傾倒和清潔更容易。

8.能源效率

  • 更快的傳熱可降低熔化應用中的能量消耗。

典型化學分析

典型物理特性

碳化矽

≥98%

硬度:

莫氏硬度:9.15

二氧化矽

≤1%

熔點:

2250℃昇華

過氧化氫

≤0.5%

最高使用溫度:

1900℃

三氧化二鐵

≤0.3%

比重:

3.2-3.45克/立方厘米

FC

≤0.3%

堆積密度(LPD):

1.2-1.6克/立方厘米

磁性內容

≤0.02%

顏色:

黑色的

 

 

顆粒形狀:

六邊形

SiC坩堝的應用:

  • 金屬熔煉及鑄造 (鋁、銅、鋅、貴金屬)

  • 半導體加工 (Si、GaAs晶體生長)

  • 玻璃和陶瓷生產

  • 高溫化學反應

 

碳化矽坩堝是高溫、高性能應用的理想選擇,  這些應用對耐用性、抗熱震性和化學穩定性至關重要。碳化矽坩堝在惡劣環境下的性能優於傳統坩堝材料,但初始成本較高。

TDS 未上傳

MSDS未上傳

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