用於半導體切割應用的碳化矽（SiC）
碳化矽 (SiC) 是用於精密切割半導體晶圓（包括矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 基板以及藍寶石 (Al₂O₃) 等其他硬質材料）的關鍵磨料。由於其極高的硬度和化學穩定性，SiC 廣泛應用於 基於漿料的多線鋸切 和 鑽石線切割 製程。
1. 為什麼選擇 SiC 進行半導體切割？
硬度（9.2 莫氏）：僅次於鑽石，非常適合切割硬質材料。
熱穩定性和化學穩定性：抵抗切割過程中的熱和化學反應。
控制顆粒形狀：鋒利、有稜角的顆粒可提高切割效率。
高純度（≥99%）：最大限度地減少半導體製造中的污染。
2. 碳化矽磨料的種類
| 類型 | 特徵 | 應用 |
|---|---|---|
| 綠色碳化矽 | 純度更高（>99%），顆粒更鋒利 | 矽晶片、藍寶石、SiC晶片 |
| 黑色碳化矽 | 純度略低（~97-98%），價格更便宜 | 通用切割 |
| 塗層碳化矽 | 表面經過處理，分散性較好 | 先進的泥漿配方 |
3. 半導體級 SiC 的關鍵規格
粒徑：通常為 5–50 µm （F200–F1500 目）。
純度：≥99%，金屬雜質含量低（Fe、Al、Ca<100 ppm）。
形狀：塊狀或有稜角，可有效去除材料。
磁性粒子：<0.1 ppm，以避免晶圓出現缺陷。
4. 不同切割方法中的 SiC
A. 基於泥漿的線鋸切割（傳統方法）
製程：SiC磨料與PEG（聚乙二醇）漿料混合。
優點：矽錠具有成本效益。
缺點：速度較慢，產生較多廢棄物。
B. 鑽石線切割（現代方法）
製程：鑽石塗層線+冷卻劑（混合製程可使用SiC）。
優點：更快、更精確、切口損失更少。